清洗不仅是半导体制造工艺的重要组成部分，也是影响半导体器件成品率的重要因素之一。清洗是晶圆加工和制造过程中的一个重要部分。为了将杂质对芯片成品率的影响降低，在实际生产过程中，不仅要保证单次清洗的效率，而且要在几乎所有工艺前后进行频繁的清洗。它是单晶硅晶片制造、光刻、刻蚀、沉积等关键工艺中必不可少的环节。

　　1、在硅片制造过程中，需要对抛光硅片进行清洗，以保证其表面平整度和性能，从而提高后续加工的成品率。

　　2、在晶圆制造过程中，需要在光刻、蚀刻、离子注入、脱胶、成膜、机械抛光等关键工序前后对晶圆进行清洗，以去除晶圆污染的化学杂质，降低缺陷率，提高成品率。

　　3、在芯片封装过程中，需要根据封装工艺对芯片进行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸点底部金属/膜重分布技术)清洗和键合清洗。

　　在进入每个工艺之前，硅片表面必须清洁，清洁步骤必须重复多次，以去除表面上的污染物。芯片制造需要在无尘室内进行。在芯片制造过程中，任何污染都会影响芯片上器件的正常功能。污染杂质是指半导体制造过程中引入的任何物质，这些物质会危及芯片的产量和电气性能。具体污染物包括颗粒物、有机物、金属和天然氧化层。这些污染物包括来自环境、其他制造工艺、蚀刻副产品、研磨液等。如果不及时清除上述受污染的杂质，可能导致后续工艺失败，导致电气故障，导致芯片报废。

　　随着半导体工业的不断发展，对清洁水的电导率、离子含量、TOC、DO和颗粒物的要求越来越严格。由于超纯水在许多指标上对半导体的要求很高，因此半导体行业的超纯水与其他行业的用水要求不同。半导体行业对超纯水有极其严格的水质要求。目前，中国常用的超纯水标准有国家标准《电子级水》(GB/T 11446.1-2013)和美国标准《电子和半导体行业用超纯水指南》(ASTM-D5127-13)。美国标准对指标要求更严格。

　　超纯水在生产过程中，要经过预处理系统、双级反渗透系统、EDI系统、抛光混床和终端超滤等过程。超纯水膜元件特别适用于电子级超纯水EDI系统前处理工艺，可以有效控制电子级超纯水系统的TOC含量。EDI系统前处理工艺是双级反渗透系统工艺，超纯水反渗透膜作为核心膜元件，具有高脱盐率，高抗污染，对硼，硅，锗等元素的高去除率，TOC溶出率更低，从而减小后续系统处理压力，提高后续系统的使用周期和使用效果。

　　德兰梅尔SCW超纯水反渗透膜元件的化学清洗周期长，出水水质稳定，是超纯水处理的理想选择。德兰梅尔膜元件在海水淡化，工业纯水，电子超级水，中水回用，生物制药，食品行业分离浓缩等领域都发挥着重要作用。